Spring til indhold

Resonanstunneldiode

Fra Wikipedia, den frie encyklopædi
(Omdirigeret fra Resonans-tunneldiode)
Kvantemekanik
Introduktion

 • Ordliste  • Historie

En resonanstunneldiode eller RTD er en diode som på en lille del af sin overføringsfunktion har en negativ differentiel modstand. [1] [2]

En RTD minder om en tunneldiode i virkemåde, men har langt mindre parallelkapacitans og derfor er den hurtigere.

I 2012 blev det offentliggjort at Japanske forskere havde brudt den trådløse hastighedsrekord ved at overføre med 1,5Gbit/s, under anvendelse af RTD. [3]

Kilder/referencer

[redigér | rediger kildetekst]
  1. ^ Webarchive backup: The Resonant Tunnelling Transistor CItat: "...2.1 The Resonant Tunnelling Diode (RTD)..."
  2. ^ Webarchive backup: Si-Based Resonant Interband Tunneling Diodes Citat: "...Recent demonstrations of high speed and low power resonant tunneling diode/transistor circuits1-3 have shown how the tunnel diode can boost the performance of a transistor technology..."
  3. ^ 16 May 2012, BBC News: Milestone for wi-fi with 'T-rays' Citat: "...Researchers in Japan have smashed the record for wireless data transmission in the terahertz band, an uncharted part of the electro-magnetic spectrum...That looks set to change; in November electronic component firm ROHM demonstrated a 1.5Gb/s (1.5 billion bits per second) transfer rate at a frequency of 300GHz...At the heart of the team's 1mm-square device is what is known as a resonant tunnelling diode, or RTD..."