Insulated-gate bipolar transistor
Udseende
(Omdirigeret fra Insulated gate bipolar transistor)
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/9/99/IGBT_symbol.gif/150px-IGBT_symbol.gif)
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/b/b5/IGBT_3300V_1200A_Mitsubishi.jpg/300px-IGBT_3300V_1200A_Mitsubishi.jpg)
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/8/8b/IGBT_cross_section.svg/300px-IGBT_cross_section.svg.png)
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/2/27/IvsV_IGBT.png/300px-IvsV_IGBT.png)
Insulated-gate bipolar transistor (IGBT) er en elektronisk komponent, der kombinerer MOSFET- og bipolar transistor-teknologi.
Bruges den strømstærke operationsforstærker, AD8031, i kontrolkredsløbet, er et ret ret afladningsforløb og en ekstremt lodret forflanke indenfor det opnåelige. Herved opnås høje spændinger – ja op til mange mange kilovolt – ved fuld kontrol.
Se også[redigér | rediger kildetekst]
Eksterne henvisninger[redigér | rediger kildetekst]
- About the inventors Arkiveret 20. september 2006 hos Wayback Machine
- Device physics information from the University of Glasgow
- Spice model for IGBT
![]() | Spire Denne naturvidenskabsartikel er en spire som bør udbygges. Du er velkommen til at hjælpe Wikipedia ved at udvide den. |